2025年ram和rom的區(qū)別與選購指南

時間：2025-10-31 16:03:53 來源:咔咔裝機(jī)官網(wǎng)

簡介：

本文面向關(guān)注硬件質(zhì)量、系統(tǒng)使用技巧與故障解決的電腦、手機(jī)及數(shù)碼產(chǎn)品用戶，圍繞“2025年RAM與ROM的區(qū)別與選購指南”展開。文中將解釋二者本質(zhì)與性能指標(biāo)，結(jié)合近年的硬件與軟件實例，給出不同使用場景下的實用選購和維護(hù)建議，幫助讀者在購機(jī)與日常維護(hù)中作出更合適的決策。

工具原料：

系統(tǒng)版本：

- iOS 18.4（iPhone 15 Pro 測試環(huán)境示例）

- Android 15 / One UI 6.1（Samsung Galaxy S24 Ultra、Google Pixel 8 Pro 示例）

- macOS Sequoia 15.1（MacBook Pro 14" M3 Pro）

- Windows 11 24H2（Dell XPS 15 2024 示例）

品牌型號：

- Apple iPhone 15 Pro（2023-2025 典型代表）

- Samsung Galaxy S24 Ultra（2024） / Google Pixel 8 Pro（2023）

- MacBook Pro 14" M3 Pro（2024）

- Dell XPS 15（2024）

軟件版本：

- CrystalDiskMark 8.x（SSD 順序/隨機(jī)測試）

- AIDA64 v7.x（系統(tǒng)與內(nèi)存信息）

- CPU-Z 2.07（內(nèi)存時序/通道信息，Windows）

- AndroBench（移動存儲基準(zhǔn)）

- Samsung Magician 7.x（Samsung SSD 管理）

一、基礎(chǔ)差異（定義與工作原理）

1、定義：RAM（隨機(jī)存取內(nèi)存）是易失性內(nèi)存，用于短期存儲CPU正在處理的數(shù)據(jù)；一旦斷電內(nèi)容消失。ROM（只讀存儲，本文泛指設(shè)備的非易失性存儲，如手機(jī)/電腦上的閃存）則長期保存數(shù)據(jù)，關(guān)機(jī)后仍然存在。

2、工作原理：現(xiàn)代設(shè)備上的“ROM”通常是NAND閃存實現(xiàn)（手機(jī)常見UFS/eMMC，電腦常見NVMe SSD/SATA SSD）。RAM典型為DDRx（桌面筆記本）或LPDDRx（移動設(shè)備），強(qiáng)調(diào)低延遲和高并發(fā)讀寫；而閃存注重高容量與持久性，但隨機(jī)寫延遲和耐久（寫放大）是瓶頸。

二、性能指標(biāo)與實際影響（帶寬、延遲、壽命）

1、帶寬與延遲：RAM帶寬高、延遲低。舉例：DDR5/LPDDR5X的帶寬可達(dá)幾十GB/s，延遲為幾十ns；而NVMe SSD即便是PCIe 4.0/5.0，順序帶寬高，但隨機(jī)小IO延遲在數(shù)百微秒到毫秒量級，遠(yuǎn)高于RAM。這意味著內(nèi)存適合頻繁、短時、隨機(jī)訪問；閃存適合大容量長期存儲與順序讀寫。

2、IOPS與壽命：存儲設(shè)備用我OPS（每秒IO數(shù)）表示小文件性能，同時要關(guān)注TBW（總寫入字節(jié)）和P/E（擦寫周期）。手機(jī)UFS 4.0相比UFS 3.1在順序性能和功耗上有顯著提升；SSD 從PCIe 3.0 到 PCIe 5.0，順序帶寬提升明顯，但更依賴主板與散熱設(shè)計。

3、系統(tǒng)體驗關(guān)聯(lián)：RAM不足會造成頻繁換頁（Windows 的 pagefile、macOS 交換、Android 的 zram/swap），表現(xiàn)為卡頓和應(yīng)用重啟；而存儲瓶頸會導(dǎo)致應(yīng)用安裝慢、系統(tǒng)更新慢、文件加載延遲。示例：在搭載M3 Pro 的MacBook上，32GB RAM 對大型 Xcode/VM 工作流明顯優(yōu)于16GB；而使用PCIe 4.0 NVMe SSD在視頻導(dǎo)出與大文件復(fù)制上比SATA SSD快一倍以上。